827 views
پیشینه تحقیق گاز الکترونی دو بعدی و گازحفره ای دوبعدی و ویژگیهای گاز الکترونی دو بعدی دارای ۲۶ صفحه می باشد فایل پیشینه تحقیق به صورت ورد word و قابل ویرایش می باشد. بلافاصله بعد از پرداخت و خرید لینک دنلود فایل نمایش داده می شود و قادر خواهید بود آن را دانلود و دریافت نمایید . ضمناً لینک دانلود فایل همان لحظه به آدرس ایمیل ثبت شده شما ارسال می گردد.
فصل اول:گاز الکترونی دو بعدی و گازحفره ای دوبعدی ۴
۱-۱مقدمه ۴
۱-۲ گاز الکترونی دو بعدی ۴
۱-۳ گازحفره ای دوبعدی ۵
۱-۴ مروری بر کارهای انجام شده ۷
۱-۵ مرور اجمالی بر فصل های آینده ۷
فصل دوم:ویژگیهای گاز الکترونی دو بعدی ۸
۲-۱ مقدمه ۸
۲-۲ ساختار چند لایه ای آلاییده مدوله شده ۸
۲-۳ ساختارهای چند لایهایی سیلیکان – ژرمانیم ۹
۲-۴ چگالی حالات ۱۳
۲-۵ قطبش پذیری و حایل سازی ۱۳
۲-۶ ترازهای مقید ۱۶
۲-۷ ساختار درون نواری ۱۷
۲-۸ جوابهای تقریبی برای تابع موج و انرژی : ۱۹
۲-۹ اثرات بس ذرهای ۲۱
۲-۱۰ گذارهای نوری درون نواری ۲۲
۲-۱۱ مغناطش در مواد ۲۳
منابع ۲۶
[۱] F.M. Peeters, P. Vasilopoulos, Physical Review B 46 (1992) 4667
Physica E: Low-dimensional System and Nanostructures 41 (2009) 1267;
[۲] W.H. Backes, F.M. Peeters, F. Brosens, J.T. Devreese, Physical Review B 45 (1992) 8437.
[۳] K. Ismail, et al, Appl.Phys.Lett,66, (1995) 862.
[۴] Laikhtman B and Kiehl R A Phys .Rev. B 47 (1993)10 515.
[۵] D.J.Paul ,The Physics, Material and Devices of Silicon Germanium Technology Physics World (2000) .
[۶] Arafa M , Fay K P,Ismail , J Chu O ,B Meyerson S and Adesia I IEEE Trans. Electron . Dev.Let 17 124(1996) .
[۷] Z. Schlesinger, J.C.M. hwang, S.J. Allen Jr., Physical Review Letters 50 (1983) 2098.
[۸] Alan B.Flower and Frank stern IBM Thomas J.watson , Research center ,
Yorktown Height , Newyork 10598.
[۹] T.Ando, A.B.Fowler,and F.Stern ,Electronic properties of two – dimensional systems
[۱۰] T. Ando, A. B. Fowler, F. Stern, Reviews of Modern Physics 54 (1982)437.
[۱۱] F. M. Peeters, P. Vasilopoulos, Physical Review B 46 (1992)4667.
[۱۲] T. Ando, A.B. Fowler, F. Stern, Reviews of Modern Physics 54 (1982) 437.
مطالعه گاز الکترونی دو بعدی وگاز حفرهای در ساختار نیم رسانا از اهمیت ویژهای برخوردار است زیرا اخیرأ نتایج حاصل از مطالعه اینگونه ساختارها در نوع جدید از ترانزیستورها که به ترانزیستورهای نوع (MODFET)[1] مشهور میباشد به کار گرفته میشود و این ترانزیستورها عمدتأ در مدارهای مجتمع خصوصأ در تراشه های دیجیتال مورد استفاده قرار میگیرند.
اثر جوزفسون در ساختارهای ابررساناگاز الکترونی دو بعدیابر رسانا با حضور بر همکنش اسپین- مدار در لایهَ نرمال مطالعه شده است]۱و۲[ در مرجع ۱ بر همکنش اسپین- مدار راشبا واثرشکافتگی زیمان اعمال شده وبا در نظر گرفتن مرزهای کاملآ شفاف، نشان داده شده است که اثر بر همکنش اسپین- مدار روی جریان جوزفسون تنها موقعی قابل مشاهده است که اثر شگافتکی زیمان هم وجود داشته باشد.در این صورت اثر جوزفسون به بر همکنش اسپین- مدار وابسته است.در مرجع ۲ نیز یک اتصال ابر رسانا- گاز الکترونی دو بعدی ابررسانا با مرزهای کاملآ شفاف در نظر گرفته شده است.با اعمال بر همکنش اسپین- مدار راشبا وبرهمکنش الکترون- الکترون اثبات شده است که تنها زمانی که برهمکنش الکترون- الکترون در محاسبات وارد شود، جریان جوزفسون وابسته به برهمکنش اسپین- مدار راشبا خواهد بود.
دو صفحه رسانای موازی به دو قطب یک باطری متصل میکنیم صفحه متصل به قطب منفی دارای چگالی بار منفی است. در صورتی که ضخامت صفحه به اندازه کافی کوچک باشد الکترونها تنها میتواننددر یک صفحه جابجا شوند و به عبارت دیگر در دو بعد تحرک داشته باشندو به این صورت میتوانیم الکترونهای دو بعدی را تجسم نماییم.
در صورتی که ماده نیم رسانا آلاییده نوع p باشد در آن صورت جایگاه تراز فرمی در ناحیه ممنوع و بالاتر از مرکزگاف انرژی است. حال اگر یک نیمرسانا با گاف نواری کم بین دو ماده نیمرسانای آلایش یافته نوع p ساندویچ شوددر آن صورت تغییر تراز ظرفیت مطابق شکل زیر خواهد بود و تراز فرمی نوار ظرفیت را قطع می کند . در این حالت نیز یک چاه پتانسیل کوانتومی شکل می گیرد که حفره ها در آن تجمع نموده و گاز حفره ای دو بعدی تشکیل می گردد و همچنان که ذکر شد میزان تحرک پذیری این حفره ها در چاه بسیار زیاد است، اما کمتر از تحرک پذیری الکترونهای دو بعدی است در شکل ( ۲ ) ساختار مدوله آلاییده شده که به روش برآراستی پرتو مولکولی فراهم شده تراز فرمی نوار ظرفیت را قطع نموده و چاه کوانتومی مثلثی شکل ایجاد شده است که گاز حفره ای دو بعدی در این چاه کوانتومی تشکیل می گردد. از ساختار های چند لایه ای که به این روش تهیه شده اند برای مطالعه ترابرد حاملهای گاز دو بعدی در چاه کوانتومی استفاده می شود یکی از کاربرد های این گونه ساختارها ایجاد ترانزیستور های اثر میدانی آلاییده مدوله شده (MODFET ) میباشد . به ترانزیستورهایی که با استفاده از این تکنیک ساخته می شوند و در آنها گاز الکترونی دو بعدی در فصل مشترک دو لایه مجاور تشکیل می شود ترانزیستورهای با تحرک الکترونی زیاد (HEMT) [1]نیز گفته می شود. در یک چنین ترانزیستوری لایه گاز الکترونی دو بعدی به عنوان کانال عبور جریان مورد استفاده قرار می گیرد ، جریان عبوری از ناحیه کانال با استفاده از پتانسیل اعمال شده به دریچه فلزی که باعث تغییر چگالی بار سطحی می گردد قابل کنترل است. با مثبت تر شدن پتانسیل گیت شاتکی ، به دلیل افزایش میزان خمیدگی نوار ،سد پتانسیل ایجاد شده در ناحیه پیوند افزایش یافته و چاه پتانسیل مثلثی شکل عمیق تر می گردد که این امر سبب افزایش چگالی بار سطحی حاملها در گاز الکترونی دو بعدی و در نتیجه باعث افزایش جریان کانال می گردد برعکس با کاهش پتانسیل مثبت گیت شاتکی) منفی تر شدن پتانسیل گیت) سد پتانسیل در ناحیه گاز دو بعدی کاهش یافته و چگالی سطحی حاملها تا جایی که چاه پتانسیل مثلثی حذف گردیده و جریان کانال قطع می گردد. همچنین در ترانزیستور های اثر میدانی دریچه دار با کانال نوع p می توان با تغییر پتانسیل دریچه چگالی گاز حفره ای دو بعدی ایجاد شده در کانال SiGe را کنترل نمود .در مدار های کلید و یا مدار های منطقی معمولاً با قطع و وصل ترانزیستور سروکار داریم . در این موارد باید به محدودیت سرعت قطع و وصل ترانزیستور توجه نموده و با توجه به فرکا نس قطع و وصل مورد نظر ، قطعه مناسب را انتخاب نمود . هر چه میزان تحرک پذیری حاملهای گازی(الکترون یا حفره) در لایه فعال بیشتر باشد ، سرعت ترانزیستور بیشتر و زمان سوییچینگ ترانزیستور نیز کوتاهتر خواهد بود. در این نوع ترانزیستور ها گاز حفره ای دو بعدی با تحرک بالا در لایه فعال ایجاد می شود . فرکانس قطع این ترانزیستور گیگا هرتز است .
[۱] -ترانزیستورهای با تحرک الکترونی زیاد
[۱]-ترانزیستورهای اثر میدانی آلاییده شده
تمامی فایل های پیشینه تحقیق و پرسشنامه و مقالات مربوطه به صورت فایل دنلودی می باشند و شما به محض پرداخت آنلاین مبلغ همان لحظه قادر به دریافت فایل خواهید بود. این عملیات کاملاً خودکار بوده و توسط سیستم انجام می پذیرد. جهت پرداخت مبلغ شما به درگاه پرداخت یکی از بانک ها منتقل خواهید شد، برای پرداخت آنلاین از درگاه بانک این بانک ها، حتماً نیاز نیست که شما شماره کارت همان بانک را داشته باشید و بلکه شما میتوانید از طریق همه کارت های عضو شبکه بانکی، مبلغ را پرداخت نمایید.
ارسال نظر